Справочник MOSFET. AOCA33104A

 

AOCA33104A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AOCA33104A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5000 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: DFN2.98X1.49-10L

 Аналог (замена) для AOCA33104A

 

 

AOCA33104A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:792K  aosemi
 aoca33104a.pdf

AOCA33104A AOCA33104A

AOCA33104A12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Ultra low RSS(ON) Common drain configuration for design simplicity RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 5.1. Size:817K  aosemi
 aoca33104e.pdf

AOCA33104A AOCA33104A

AOCA33104E12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Ultra low RSS(ON) Common drain configuration for design simplicity RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 6.1. Size:761K  aosemi
 aoca33103e.pdf

AOCA33104A AOCA33104A

AOCA33103E12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Ultra low RSS(ON) Common drain configuration for design simplicity RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 6.2. Size:785K  aosemi
 aoca33102e.pdf

AOCA33104A AOCA33104A

AOCA33102E12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Ultra low RSS(ON) Common drain configuration for design simplicity RSS(ON) (at VGS=4.5V)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top