AOCA36116C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOCA36116C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 24 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4000 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm

Тип корпуса: DFN3.2X2.1-10L

Аналог (замена) для AOCA36116C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOCA36116C даташит

 ..1. Size:592K  aosemi
aoca36116c.pdfpdf_icon

AOCA36116C

AOCA36116C 24V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET Technology 24V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 7.1. Size:551K  aosemi
aoca36102e.pdfpdf_icon

AOCA36116C

AOCA36102E 22V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET Technology 22V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 9.1. Size:590K  aosemi
aoca32112e.pdfpdf_icon

AOCA36116C

AOCA32112E 20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 20V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 9.2. Size:732K  aosemi
aoca32317.pdfpdf_icon

AOCA36116C

AOCA32317 30V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 30V Low RSS(ON) ESD protection RSS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AOC3870A, AOCA32107E, AOC3870C, AOCA32108E, AOCA35212E, AOC3860A, AOC3860C, AOCA33102E, AO4468, AOCA32317, AONR30310, AONR32318, AONR34332C, AONR36321, AONR62921, AONR66820, AONR66821