AOCA32317 - описание и поиск аналогов

 

AOCA32317. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOCA32317

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 230 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0073 Ohm

Тип корпуса: DFN3.37X1.47-10L

Аналог (замена) для AOCA32317

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOCA32317 даташит

 ..1. Size:732K  aosemi
 aoca32317.pdf pdf_icon

AOCA32317

AOCA32317 30V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 30V Low RSS(ON) ESD protection RSS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:767K  aosemi
 aoca32301.pdf pdf_icon

AOCA32317

AOCA32301 30V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 30V Low RSS(ON) ESD protection RSS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:590K  aosemi
 aoca32112e.pdf pdf_icon

AOCA32317

AOCA32112E 20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 20V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.2. Size:602K  aosemi
 aoca32107e.pdf pdf_icon

AOCA32317

AOCA32107E 12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary VSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOCA32107E , AOC3870C , AOCA32108E , AOCA35212E , AOC3860A , AOC3860C , AOCA33102E , AOCA36116C , IRF730 , AONR30310 , AONR32318 , AONR34332C , AONR36321 , AONR62921 , AONR66820 , AONR66821 , AONR66922 .

History: AOC3860C | D2N60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.