Справочник MOSFET. AOCA32317

 

AOCA32317 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AOCA32317
   Маркировка: 32317
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 50 nC
   trⓘ - Время нарастания: 230 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0073 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.37X1.47-10L

 Аналог (замена) для AOCA32317

 

 

AOCA32317 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:732K  aosemi
aoca32317.pdf

AOCA32317
AOCA32317

AOCA3231730V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 30V Low RSS(ON) ESD protection RSS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:767K  aosemi
aoca32301.pdf

AOCA32317
AOCA32317

AOCA3230130V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 30V Low RSS(ON) ESD protection RSS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:590K  aosemi
aoca32112e.pdf

AOCA32317
AOCA32317

AOCA32112E20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 20V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.2. Size:602K  aosemi
aoca32107e.pdf

AOCA32317
AOCA32317

AOCA32107E12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.3. Size:772K  aosemi
aoca32106e.pdf

AOCA32317
AOCA32317

AOCA32106E12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET Technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.4. Size:577K  aosemi
aoca32116e.pdf

AOCA32317
AOCA32317

AOCA32116E20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 20V Ultra low RSS(ON) Common drain configuration for design simplicity RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.5. Size:793K  aosemi
aoca32108e.pdf

AOCA32317
AOCA32317

AOCA32108E12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Ultra low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 

Back to Top