AOCA32317 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AOCA32317
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 230 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0073 Ohm
Тип корпуса: DFN3.37X1.47-10L
Аналог (замена) для AOCA32317
AOCA32317 Datasheet (PDF)
aoca32317.pdf

AOCA3231730V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 30V Low RSS(ON) ESD protection RSS(ON) (at VGS=10V)
aoca32301.pdf

AOCA3230130V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 30V Low RSS(ON) ESD protection RSS(ON) (at VGS=10V)
aoca32112e.pdf

AOCA32112E20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 20V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)
aoca32107e.pdf

AOCA32107E12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)
Другие MOSFET... AOCA32107E , AOC3870C , AOCA32108E , AOCA35212E , AOC3860A , AOC3860C , AOCA33102E , AOCA36116C , BS170 , AONR30310 , AONR32318 , AONR34332C , AONR36321 , AONR62921 , AONR66820 , AONR66821 , AONR66922 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0403PU | JMSH0403PGQ | JMSH0403PGHWQ | JMSH0403PGHW | JMSH0403PG | JMSH0403BGQ | JMSH0403BG | JMSH0403AGQ | JMSH0403AGHWQ | JMSH0403AG | JMSH0402PG | JMSH0402BGQ | JMSH0402AKQ | JMSH0402AGQ | JMSH0402AEQ | JMSH1004RG
Popular searches
2sc458 | a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227