AOCA32317 - аналоги и даташиты транзистора

 

AOCA32317 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AOCA32317
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 230 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0073 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.37X1.47-10L
 

 Аналог (замена) для AOCA32317

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOCA32317 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:732K  aosemi
 aoca32317.pdf pdf_icon

AOCA32317

AOCA3231730V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 30V Low RSS(ON) ESD protection RSS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:767K  aosemi
 aoca32301.pdf pdf_icon

AOCA32317

AOCA3230130V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 30V Low RSS(ON) ESD protection RSS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:590K  aosemi
 aoca32112e.pdf pdf_icon

AOCA32317

AOCA32112E20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 20V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.2. Size:602K  aosemi
 aoca32107e.pdf pdf_icon

AOCA32317

AOCA32107E12V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVSS Trench Power MOSFET technology 12V Low RSS(ON) With ESD protection to improve battery performance and safety RSS(ON) (at VGS=4.5V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOCA32107E , AOC3870C , AOCA32108E , AOCA35212E , AOC3860A , AOC3860C , AOCA33102E , AOCA36116C , BS170 , AONR30310 , AONR32318 , AONR34332C , AONR36321 , AONR62921 , AONR66820 , AONR66821 , AONR66922 .

History: AOCA32108E

 

 
Back to Top

 


 
.