FDD20AN06F085. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FDD20AN06F085
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для FDD20AN06F085
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FDD20AN06F085 даташит
fdd20an06a0.pdf
June 2003 FDD20AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 45A, 20m Features Applications rDS(ON) = 17m (Typ.), VGS = 10V, ID = 45A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 15nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC conver
fdd20an06 f085.pdf
May 2010 FDD20AN06A0 F085 _ N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 45A, 20m Features Applications rDS(ON) = 17m (Typ.), VGS = 10V, ID = 45A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 15nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) DC-DC
Другие MOSFET... FQPF13N06L , FQPF13N50CF , FQPF15P12 , FQPF16N15 , FQPF16N25C , FQPF17N40 , FDS8690 , FQPF19N10 , 8205A , FQPF19N20 , HUF76429DF085 , FQPF19N20C , FCU5N60 , FQPF20N06 , FQPF20N06L , FQPF22N30 , FQPF22P10 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet | tip3055 transistor


