Справочник MOSFET. AONS30302

 

AONS30302 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS30302
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 326 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 480 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3360 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00085 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS30302 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:468K  aosemi
aons30302.pdfpdf_icon

AONS30302

AONS3030230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 480A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:405K  aosemi
aons30300.pdfpdf_icon

AONS30302

AONS3030030V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 710A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:414K  aosemi
aons30306.pdfpdf_icon

AONS30302

AONS3030630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 302A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:405K  aosemi
aons34304c.pdfpdf_icon

AONS30302

AONS34304C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 200A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRF3704ZLPBF | MDI4N60BTH | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | MTP452L3

 

 
Back to Top

 


 
.