AONS30302. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONS30302

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 326 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 480 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00085 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONS30302

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS30302 даташит

 ..1. Size:468K  aosemi
aons30302.pdfpdf_icon

AONS30302

AONS30302 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 480A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:405K  aosemi
aons30300.pdfpdf_icon

AONS30302

AONS30300 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 710A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:414K  aosemi
aons30306.pdfpdf_icon

AONS30302

AONS30306 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 302A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:405K  aosemi
aons34304c.pdfpdf_icon

AONS30302

AONS34304C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 200A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AONS18314, AONS1R1A70, AONS1R6A70, AONS20485, AONS21113, AONS21309C, AONS21321, AONS30300, IRF530, AONS30306, AONS32100, AONS32106, AONS32302, AONS32303, AONS32304, AONS32310, AONS34304C