Справочник MOSFET. AONS36314

 

AONS36314 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS36314
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 395 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS36314 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:414K  aosemi
 aons36314.pdf pdf_icon

AONS36314

AONS3631430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:576K  aosemi
 aons36312.pdf pdf_icon

AONS36314

AONS3631230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:596K  aosemi
 aons36316.pdf pdf_icon

AONS36314

AONS3631630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 32A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:573K  aosemi
 aons36348.pdf pdf_icon

AONS36314

AONS3634830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONS34304C , AONS34308C , AONS36302 , AONS36303 , AONS36304 , AONS36306 , AONS36308 , AONS36312 , IRFZ46N , AONS36316 , AONS36321 , AONS36333 , AONS36335 , AONS36337 , AONS36346 , AONS36348 , AONS38108 .

 

 
Back to Top

 


 
.