AONS36335 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

AONS36335. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONS36335

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONS36335

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

AONS36335 даташит

..1. Size:402K aosemi
aons36335.pdf pdf_icon

AONS36335 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 61A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

6.1. Size:398K aosemi
aons36337.pdf pdf_icon

AONS36337 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 59A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

6.2. Size:419K aosemi
aons36333.pdf pdf_icon

AONS36333 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 79A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

7.1. Size:573K aosemi
aons36348.pdf pdf_icon

AONS36348 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)