AONS36335 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AONS36335
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 1.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6-8L
Аналог (замена) для AONS36335
AONS36335 Datasheet (PDF)
aons36335.pdf

AONS3633530V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 61A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aons36337.pdf

AONS3633730V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 59A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aons36333.pdf

AONS3633330V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 79A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aons36348.pdf

AONS3634830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
Другие MOSFET... AONS36304 , AONS36306 , AONS36308 , AONS36312 , AONS36314 , AONS36316 , AONS36321 , AONS36333 , CS150N03A8 , AONS36337 , AONS36346 , AONS36348 , AONS38108 , AONS38203 , AONS420A60 , AONS420A70 , AONS520A70 .
History: IRFD210PBF
History: IRFD210PBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488