AONS36335 - аналоги и даташиты транзистора

 

AONS36335 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AONS36335
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AONS36335

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS36335 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:402K  aosemi
 aons36335.pdf pdf_icon

AONS36335

AONS3633530V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 61A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:398K  aosemi
 aons36337.pdf pdf_icon

AONS36335

AONS3633730V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 59A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:419K  aosemi
 aons36333.pdf pdf_icon

AONS36335

AONS3633330V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 79A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:573K  aosemi
 aons36348.pdf pdf_icon

AONS36335

AONS3634830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONS36304 , AONS36306 , AONS36308 , AONS36312 , AONS36314 , AONS36316 , AONS36321 , AONS36333 , IRF520 , AONS36337 , AONS36346 , AONS36348 , AONS38108 , AONS38203 , AONS420A60 , AONS420A70 , AONS520A70 .

 

 
Back to Top

 


 
.