AONS36337 - аналоги и даташиты транзистора

 

AONS36337 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AONS36337
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AONS36337

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS36337 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:398K  aosemi
aons36337.pdfpdf_icon

AONS36337

AONS3633730V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 59A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:419K  aosemi
aons36333.pdfpdf_icon

AONS36337

AONS3633330V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 79A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:402K  aosemi
aons36335.pdfpdf_icon

AONS36337

AONS3633530V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 61A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:573K  aosemi
aons36348.pdfpdf_icon

AONS36337

AONS3634830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AONS36306 , AONS36308 , AONS36312 , AONS36314 , AONS36316 , AONS36321 , AONS36333 , AONS36335 , IRFB31N20D , AONS36346 , AONS36348 , AONS38108 , AONS38203 , AONS420A60 , AONS420A70 , AONS520A70 , AONS62530 .

History: PMV37EN2 | CEU12N10L | 2N60L-TF1-T | INK0103AM1 | WMN15N65C4 | 2SK3078 | IRFB3607

 

 
Back to Top

 


 
.