Справочник MOSFET. AONS36346

 

AONS36346 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS36346
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AONS36346

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS36346 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:574K  aosemi
 aons36346.pdf pdf_icon

AONS36346

AONS3634630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 60A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:573K  aosemi
 aons36348.pdf pdf_icon

AONS36346

AONS3634830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 50A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:414K  aosemi
 aons36314.pdf pdf_icon

AONS36346

AONS3631430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 85A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:408K  aosemi
 aons36308.pdf pdf_icon

AONS36346

AONS3630830V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 53A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONS36308 , AONS36312 , AONS36314 , AONS36316 , AONS36321 , AONS36333 , AONS36335 , AONS36337 , IRF2807 , AONS36348 , AONS38108 , AONS38203 , AONS420A60 , AONS420A70 , AONS520A70 , AONS62530 , AONS62606 .

 

 
Back to Top

 


 
.