Справочник MOSFET. AONS38203

 

AONS38203 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS38203
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 311 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2860 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00058 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AONS38203

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS38203 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:406K  aosemi
aons38203.pdfpdf_icon

AONS38203

AONS3820325V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS25V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 311A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:769K  aosemi
aons38108.pdfpdf_icon

AONS38203

AONS3810825V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS25V Trench Power MOSFET technology Extremely Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 355A Optimized switching performance (low RDS(ON)*Qg) RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:405K  aosemi
aons30300.pdfpdf_icon

AONS38203

AONS3030030V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 710A High Current Capability RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:405K  aosemi
aons34304c.pdfpdf_icon

AONS38203

AONS34304C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power MOSFET technology Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 200A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AONS36316 , AONS36321 , AONS36333 , AONS36335 , AONS36337 , AONS36346 , AONS36348 , AONS38108 , K2611 , AONS420A60 , AONS420A70 , AONS520A70 , AONS62530 , AONS62606 , AONS62614T , AONS62920 , AONS65625 .

History: PJP2NA60 | UPA2770GR | AP18T10GP

 

 
Back to Top

 


 
.