Справочник MOSFET. AONS420A70

 

AONS420A70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS420A70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 183 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS420A70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:678K  aosemi
 aons420a70.pdf pdf_icon

AONS420A70

AONS420A70TM700V, aMOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 46A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 6.1. Size:685K  aosemi
 aons420a60.pdf pdf_icon

AONS420A70

AONS420A60TM 600V, aMOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 44A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQP1N50 | NCEP065N10GU

 

 
Back to Top

 


 
.