AONS62614T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONS62614T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONS62614T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS62614T даташит

 ..1. Size:362K  aosemi
 aons62614t.pdf pdf_icon

AONS62614T

AONS62614T TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 170A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 5.1. Size:335K  aosemi
 aons62614.pdf pdf_icon

AONS62614T

AONS62614 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:329K  aosemi
 aons62618.pdf pdf_icon

AONS62614T

AONS62618 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 44A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:364K  aosemi
 aons62606.pdf pdf_icon

AONS62614T

AONS62606 60V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 195A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONS36348, AONS38108, AONS38203, AONS420A60, AONS420A70, AONS520A70, AONS62530, AONS62606, IRF1405, AONS62920, AONS65625, AONS660A60, AONS660A70F, AONS66402T, AONS66405, AONS66405T, AONS66407