Справочник MOSFET. AONS62614T

 

AONS62614T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS62614T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AONS62614T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS62614T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:362K  aosemi
 aons62614t.pdf pdf_icon

AONS62614T

AONS62614TTM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 170A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 5.1. Size:335K  aosemi
 aons62614.pdf pdf_icon

AONS62614T

AONS62614TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:329K  aosemi
 aons62618.pdf pdf_icon

AONS62614T

AONS62618TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 44A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:364K  aosemi
 aons62606.pdf pdf_icon

AONS62614T

AONS6260660V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 195A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONS36348 , AONS38108 , AONS38203 , AONS420A60 , AONS420A70 , AONS520A70 , AONS62530 , AONS62606 , NCEP15T14 , AONS62920 , AONS65625 , AONS660A60 , AONS660A70F , AONS66402T , AONS66405 , AONS66405T , AONS66407 .

History: SI8469DB

 

 
Back to Top

 


 
.