AONS66405T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONS66405T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 258 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 385 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1530 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00095 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONS66405T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS66405T даташит

 ..1. Size:408K  aosemi
 aons66405t.pdf pdf_icon

AONS66405T

AONS66405T TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 385A Low RDS(ON)*QOSS and optimised switching performance. RDS(ON) (at VGS=10V)

 5.1. Size:405K  aosemi
 aons66405.pdf pdf_icon

AONS66405T

 6.1. Size:362K  aosemi
 aons66402t.pdf pdf_icon

AONS66405T

AONS66402T TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 224A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:427K  aosemi
 aons66407.pdf pdf_icon

AONS66405T

AONS66407 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 370A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONS62606, AONS62614T, AONS62920, AONS65625, AONS660A60, AONS660A70F, AONS66402T, AONS66405, IRFB7545, AONS66407, AONS66408, AONS66415, AONS66520, AONS66521, AONS66524, AONS66605, AONS66607