AONS66520. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONS66520

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONS66520

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS66520 даташит

 ..1. Size:380K  aosemi
aons66520.pdfpdf_icon

AONS66520

AONS66520 TM 150V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 150V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 100A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:370K  aosemi
aons66524.pdfpdf_icon

AONS66520

AONS66524 TM 150V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 150V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=20V) 56A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:381K  aosemi
aons66521.pdfpdf_icon

AONS66520

AONS66521 150V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 150V Low RDS(ON) and Gate Charge ID (at VGS=10V) 100A Enhanced Robustness RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:362K  aosemi
aons66402t.pdfpdf_icon

AONS66520

AONS66402T TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 224A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AONS660A60, AONS660A70F, AONS66402T, AONS66405, AONS66405T, AONS66407, AONS66408, AONS66415, RU7088R, AONS66521, AONS66524, AONS66605, AONS66607, AONS66609, AONS66609T, AONS66612, AONS66612T