AONS66615. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONS66615

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 740 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONS66615

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS66615 даташит

 ..1. Size:410K  aosemi
 aons66615.pdf pdf_icon

AONS66615

AONS66615 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 85A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.1. Size:428K  aosemi
 aons66615t.pdf pdf_icon

AONS66615

AONS66615T TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 114A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:377K  aosemi
 aons66612.pdf pdf_icon

AONS66615

AONS66612 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 268A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:447K  aosemi
 aons66617.pdf pdf_icon

AONS66615

AONS66617 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 110A MSL1 Rated 260 C reflow 175 C Junction temperature RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONS66605, AONS66607, AONS66609, AONS66609T, AONS66612, AONS66612T, AONS66613, AONS66614, IRF840, AONS66615T, AONS66617, AONS66620, AONS66641, AONS66641T, AONS66811, AONS66814, AONS66817