Справочник MOSFET. AONS66641

 

AONS66641 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS66641
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 275 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AONS66641

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS66641 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  aosemi
aons66641.pdfpdf_icon

AONS66641

AONS66641TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 275A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.1. Size:419K  aosemi
aons66641t.pdfpdf_icon

AONS66641

AONS66641TTM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 325A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:412K  aosemi
aons66609.pdfpdf_icon

AONS66641

AONS66609TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 304A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:377K  aosemi
aons66612.pdfpdf_icon

AONS66641

AONS66612TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 268A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... AONS66612 , AONS66612T , AONS66613 , AONS66614 , AONS66615 , AONS66615T , AONS66617 , AONS66620 , 50N06 , AONS66641T , AONS66811 , AONS66814 , AONS66817 , AONS66908 , AONS66909 , AONS66916T , AONS66917 .

History: FQPF9N15 | BUK7Y12-100E

 

 
Back to Top

 


 
.