AONS66814. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONS66814

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 310 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONS66814

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS66814 даташит

 ..1. Size:429K  aosemi
aons66814.pdfpdf_icon

AONS66814

AONS66814 TM 80V N-Channel AlphaSGT2 General Description Product Summary VDS 80V AlphaSGT2TM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 310A Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:424K  aosemi
aons66811.pdfpdf_icon

AONS66814

AONS66811 TM 80V N-Channel AlphaSGT2 General Description Product Summary VDS 80V Trench Power AlphaSGT2TM technology ID (at VGS=10V) 287A Low RDS(ON) and optimized switching performance RoHS 2.0 and Halogen-Free Compliant RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.2. Size:427K  aosemi
aons66817.pdfpdf_icon

AONS66814

AONS66817 TM 80V N-Channel AlphaSGT2 General Description Product Summary VDS 80V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 120A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:362K  aosemi
aons66402t.pdfpdf_icon

AONS66814

AONS66402T TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 224A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AONS66614, AONS66615, AONS66615T, AONS66617, AONS66620, AONS66641, AONS66641T, AONS66811, IRF640, AONS66817, AONS66908, AONS66909, AONS66916T, AONS66917, AONS66917T, AONS66919, AONS66920