Справочник MOSFET. AONS74306

 

AONS74306 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AONS74306
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 370 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00095 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AONS74306

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS74306 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:393K  aosemi
 aons74306.pdf pdf_icon

AONS74306

AONS7430630V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 370A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:396K  aosemi
 aons74304.pdf pdf_icon

AONS74306

AONS7430430V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Latest Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 440A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:404K  aosemi
 aons74312.pdf pdf_icon

AONS74306

AONS7431230V N-Channel MOSFET General Description Product SummaryVDS 30V Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) ID (at VGS=10V) 210A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:368K  aosemi
 aons77402.pdf pdf_icon

AONS74306

AONS77402TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 335A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AONS66917 , AONS66917T , AONS66919 , AONS66920 , AONS66923 , AONS67614 , AONS68520 , AONS74304 , IRFB4115 , AONS74312 , AONS77402 , AONS850A70 , AONX36320 , AONX36322 , AONX36324 , AONX38168 , AONX38168A .

History: ELM32408LA | TPCF8103 | TSM2308CX | AP6P025H

 

 
Back to Top

 


 
.