AONS74306. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AONS74306

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 370 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00095 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AONS74306

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AONS74306 даташит

 ..1. Size:393K  aosemi
 aons74306.pdf pdf_icon

AONS74306

AONS74306 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 370A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:396K  aosemi
 aons74304.pdf pdf_icon

AONS74306

AONS74304 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Latest Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 440A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:404K  aosemi
 aons74312.pdf pdf_icon

AONS74306

AONS74312 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) ID (at VGS=10V) 210A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:368K  aosemi
 aons77402.pdf pdf_icon

AONS74306

AONS77402 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 335A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AONS66917, AONS66917T, AONS66919, AONS66920, AONS66923, AONS67614, AONS68520, AONS74304, P55NF06, AONS74312, AONS77402, AONS850A70, AONX36320, AONX36322, AONX36324, AONX38168, AONX38168A