AO4264C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AO4264C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AO4264C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4264C даташит

 ..1. Size:332K  aosemi
 ao4264c.pdf pdf_icon

AO4264C

AO4264C TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 11A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:390K  aosemi
 ao4264e.pdf pdf_icon

AO4264C

 8.2. Size:367K  aosemi
 ao4264.pdf pdf_icon

AO4264C

AO4264 60V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS MV) technology 60V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 12A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:2479K  kexin
 ao4264.pdf pdf_icon

AO4264C

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AO4264 (KO4264) SOP-8 Features VDS (V) = 60V ID = 12 A (VGS = 10V) RDS(ON) 11m (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 13.5m (VGS = 4.5V) 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate D G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOLF66413, AOLF66417, AOLF66610, AOLF66910, AOSN32128, AOSN32338C, AOSX21319C, AOSX32128, BS170, AOSD21307, AOSD21311C, AOSD21313C, AOSD26313C, AOSD32334C, AOSD32338C, AOSP21321, AOSP32320C