Справочник MOSFET. AOSP62626E

 

AOSP62626E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOSP62626E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSP62626E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:329K  aosemi
 aosp62626e.pdf pdf_icon

AOSP62626E

AOSP62626ETM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 11A Low RDS(ON) Logic Level Gate Drive RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:312K  aosemi
 aosp62530.pdf pdf_icon

AOSP62626E

AOSP62530TM150V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS150V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 5A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:312K  aosemi
 aosp66919.pdf pdf_icon

AOSP62626E

AOSP66919TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 16A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:268K  aosemi
 aosp66920.pdf pdf_icon

AOSP62626E

AOSP66920TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power AlphaSGTTM technology 100V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 13.5A Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: MDP2N60TP | ASDM2301ZA | LSF60R280HT | STV4N100 | AFN2318A | AM8204 | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.