Справочник MOSFET. AOSS32128

 

AOSS32128 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOSS32128
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AOSS32128

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOSS32128 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  aosemi
 aoss32128.pdf pdf_icon

AOSS32128

AOSS3212820V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 20V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 3.6A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=4.5V)

 7.1. Size:333K  aosemi
 aoss32136c.pdf pdf_icon

AOSS32128

AOSS32136C20V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 20V Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 6.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=4.5V)

 8.1. Size:332K  aosemi
 aoss32334c.pdf pdf_icon

AOSS32128

AOSS32334C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 6.2A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:338K  aosemi
 aoss32338c.pdf pdf_icon

AOSS32128

AOSS32338C30V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 4A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOSP66919 , AOSP66920 , AOSP66923 , AOSP66925 , AOSS21115C , AOSS21311C , AOSS21319C , AOSS21329 , RU6888R , AOSS32136C , AOSS32334C , AOSS32338C , AO3160E , AOT080A60L , AOT095A60FDL , AOT095A60L , AOT125A60L .

History: 10N60G-TF1-T

 

 
Back to Top

 


 
.