AOT66518L - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

AOT66518L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOT66518L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 820 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для AOT66518L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

AOT66518L даташит

..1. Size:374K aosemi
aot66518l.pdf pdf_icon

AOT66518L TM 150V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 150V Combined of low RDS(ON) and wide safe operatiing area ID (at VGS=10V) 120A (SOA) RDS(ON) (at VGS=10V)

9.1. Size:840K aosemi
aot66920l.pdf pdf_icon

AOT66920L/AOB66920L TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 80A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

9.2. Size:381K aosemi
aot66811l.pdf pdf_icon

AOT66811L TM 80V N-Channel AlphaSGT2 General Description Product Summary VDS 80V Trench Power AlphaSGT2TM technology ID (at VGS=10V) 120A Low RDS(ON) and optimized switching performance RoHS 2.0 and Halogen-Free Compliant RDS(ON) (at VGS=10V)

9.3. Size:370K aosemi
aot66919l.pdf pdf_icon

AOT66919L TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 105A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)