AOT66914L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOT66914L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для AOT66914L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOT66914L даташит

 ..1. Size:409K  aosemi
aot66914l aob66914l.pdfpdf_icon

AOT66914L

AOT66914L/AOB66914L TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Extremely Low RDS(ON) Optimized switching performance RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:409K  aosemi
aot66914l.pdfpdf_icon

AOT66914L

AOT66914L/AOB66914L TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Extremely Low RDS(ON) Optimized switching performance RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:370K  aosemi
aot66919l.pdfpdf_icon

AOT66914L

AOT66919L TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 105A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.2. Size:374K  aosemi
aot66918l.pdfpdf_icon

AOT66914L

AOT66918L TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 120A Combined of low RDS(ON) and wide safe operatiing area (SOA) RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AOT600A60L, AOT600A70FL, AOT600A70L, AOT66518L, AOT66613, AOT66616L, AOT66620L, AOT66811L, 20N60, AOT66916L, AOT66918L, AOT66919L, AOT66920L, AOT780A70L, AOTF080A60L, AOTF095A60FDL, AOTF095A60L