AOTF66811L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOTF66811L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1580 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для AOTF66811L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTF66811L даташит

 ..1. Size:370K  aosemi
 aotf66811l.pdf pdf_icon

AOTF66811L

AOTF66811L TM 80V N-Channel AlphaSGT2 General Description Product Summary VDS 80V Trench Power AlphaSGT2TM technology ID (at VGS=10V) 80A Low RDS(ON) and optimized switching performance RoHS 2.0 and Halogen-Free Compliant RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:742K  aosemi
 aotf66920l.pdf pdf_icon

AOTF66811L

AOTF66920L TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 41A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:376K  aosemi
 aotf66613l.pdf pdf_icon

AOTF66811L

AOTF66613L TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 90A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:365K  aosemi
 aotf66919l.pdf pdf_icon

AOTF66811L

AOTF66919L TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 50A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOTF380A60CL, AOTF380A60L, AOTF450A70L, AOTF600A60L, AOTF600A70FL, AOTF600A70L, AOTF66613L, AOTF66616L, IRF9540, AOTF66919L, AOTF66920L, AOTF780A70L, AOK031A60FD, AOK040A60, AOK042A60FD, AOK065A60, AOK065A60FD