Справочник MOSFET. AOK095A60

 

AOK095A60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOK095A60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 378 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для AOK095A60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOK095A60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:454K  aosemi
 aok095a60.pdf pdf_icon

AOK095A60

AOK095A60TM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 152A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 0.1. Size:452K  aosemi
 aok095a60fd.pdf pdf_icon

AOK095A60

AOK095A60FDTM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 120A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 0.2. Size:454K  aosemi
 aok095a60fdl.pdf pdf_icon

AOK095A60

AOK095A60FDLTM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 120A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие MOSFET... AOTF66919L , AOTF66920L , AOTF780A70L , AOK031A60FD , AOK040A60 , AOK042A60FD , AOK065A60 , AOK065A60FD , SPP20N60C3 , AOK095A60FD , AOK095A60FDL , AOK125A60 , AOK125A60FDL , AOK160A60 , AOK160A60FDL , AOK2500L , AOK66518 .

History: HSS3400A | SSM4500GM | DH60N06 | AON7532E | NVD5117PL | SI2301CDS

 

 
Back to Top

 


 
.