Справочник MOSFET. AOK095A60FDL

 

AOK095A60FDL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOK095A60FDL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для AOK095A60FDL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOK095A60FDL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:454K  aosemi
 aok095a60fdl.pdf pdf_icon

AOK095A60FDL

AOK095A60FDLTM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 120A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 3.1. Size:452K  aosemi
 aok095a60fd.pdf pdf_icon

AOK095A60FDL

AOK095A60FDTM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 120A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 5.1. Size:454K  aosemi
 aok095a60.pdf pdf_icon

AOK095A60FDL

AOK095A60TM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary MOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 152A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие MOSFET... AOTF780A70L , AOK031A60FD , AOK040A60 , AOK042A60FD , AOK065A60 , AOK065A60FD , AOK095A60 , AOK095A60FD , 2SK3568 , AOK125A60 , AOK125A60FDL , AOK160A60 , AOK160A60FDL , AOK2500L , AOK66518 , AOK66613 , AOK66914 .

History: IXTN110N20L2 | IXTT75N15 | IXTH40N50L2

 

 
Back to Top

 


 
.