AOD380A60C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AOD380A60C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для AOD380A60C
AOD380A60C Datasheet (PDF)
aod380a60c.pdf

AOD380A60C/AOI380A60CTM 600V, aMOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 44A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
aod380a60.pdf

AOD380A60TM 600V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 44A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
Другие MOSFET... AOD210V60E , AOD21357 , AOD280A60 , AOD32324 , AOD32326 , AOD32334C , AOD360A70 , AOD380A60 , STF13NM60N , AOD450A70 , AOD600A60 , AOD600A70 , AOD600A70R , AOD66616 , AOD66620 , AOD66643 , AOD66919 .
History: AP2325GEN | AOB20S60 | IRFN350
History: AP2325GEN | AOB20S60 | IRFN350



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198