AOWF360A70 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AOWF360A70
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
Тип корпуса: TO262F
Аналог (замена) для AOWF360A70
AOWF360A70 Datasheet (PDF)
aowf360a70.pdf
AOW360A70/AOWF360A70TM700V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 48A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
aowf380a60c.pdf
AOWF380A60CTM 600V a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 44A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
Другие MOSFET... AOW190A60C , AOW360A70 , AOW66613 , AOW66616 , AOWF095A60 , AOWF125A60 , AOWF160A60 , AOWF190A60C , MMIS60R580P , AOWF380A60C , AOWF450A70 , AOWF600A60 , AOWF600A70 , AOWF600A70F , AOWF780A70 , AOB095A60L , AOB125A60L .
History: IRFS250B | DCC060M65G2 | HSS3401A | IRF2807PBF | IPD068N10N3G | IRFR4510PBF | IPD050N03LG
History: IRFS250B | DCC060M65G2 | HSS3401A | IRF2807PBF | IPD068N10N3G | IRFR4510PBF | IPD050N03LG
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2sa1491 | 2sc1313 datasheet | 2sc984 | 2sa872 | 2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451



