AOWF360A70 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AOWF360A70
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 34 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
Тип корпуса: TO262F
Аналог (замена) для AOWF360A70
AOWF360A70 Datasheet (PDF)
aowf360a70.pdf

AOW360A70/AOWF360A70TM700V, a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 48A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
aowf380a60c.pdf

AOWF380A60CTM 600V a MOS5 N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 44A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max
Другие MOSFET... AOW190A60C , AOW360A70 , AOW66613 , AOW66616 , AOWF095A60 , AOWF125A60 , AOWF160A60 , AOWF190A60C , STP65NF06 , AOWF380A60C , AOWF450A70 , AOWF600A60 , AOWF600A70 , AOWF600A70F , AOWF780A70 , AOB095A60L , AOB125A60L .
History: BRF60R580C | DG2N60-251 | STU5025NL2 | AOW66613 | RQA0008NXAQS | FDMC7582 | SWF10N80K2
History: BRF60R580C | DG2N60-251 | STU5025NL2 | AOW66613 | RQA0008NXAQS | FDMC7582 | SWF10N80K2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sa1491 | 2sc1313 datasheet | 2sc984 | 2sa872 | 2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451