AOWF380A60C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOWF380A60C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO262F

Аналог (замена) для AOWF380A60C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOWF380A60C даташит

 ..1. Size:608K  aosemi
 aowf380a60c.pdf pdf_icon

AOWF380A60C

AOWF380A60C TM 600V a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 44A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 9.1. Size:653K  aosemi
 aow360a70 aowf360a70.pdf pdf_icon

AOWF380A60C

AOW360A70/AOWF360A70 TM 700V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 48A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

 9.2. Size:653K  aosemi
 aowf360a70.pdf pdf_icon

AOWF380A60C

AOW360A70/AOWF360A70 TM 700V, a MOS5 N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 800V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 48A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие IGBT... AOW360A70, AOW66613, AOW66616, AOWF095A60, AOWF125A60, AOWF160A60, AOWF190A60C, AOWF360A70, AOD4184A, AOWF450A70, AOWF600A60, AOWF600A70, AOWF600A70F, AOWF780A70, AOB095A60L, AOB125A60L, AOB160A60L