FXN4613F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FXN4613F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 460 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FXN4613F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN4613F даташит

 ..1. Size:1500K  cn fx-semi
 fxn4613f.pdf pdf_icon

FXN4613F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN4613F Series Rev.A General Description Features The FXN4613F uses advanced Silicon s MOSFET T echnology, which V = 460V DS provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 13A @V = 10V GS performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in i

 8.1. Size:1122K  cn fx-semi
 fxn4615f.pdf pdf_icon

FXN4613F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN4615F Series Rev.A General Description Features The FXN4615F uses advanced Silicon s MOSFET T echnology, which V = 460V DS provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 15A @V = 10V GS performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in in

 8.2. Size:1085K  cn fx-semi
 fxn4611f.pdf pdf_icon

FXN4613F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN4611F Series Rev.A General Description Features The FXN4611F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 450V DS provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 11A @V =10V GS performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in indus

 9.1. Size:600K  cn fx-semi
 fxn4609f.pdf pdf_icon

FXN4613F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN4609F Series Rev.A General Description Features The FXN4609F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 460V DS provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 9A @V = 10V GS performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industrial appl

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FXN15S50F, FXN18N20C, FXN18N50F, FXN20N50F, FXN0704F, FXN0706C, FXN0707C, FXN0707CN, 8N60, FXN4615F, FXN4620F, FXN4625F, FXN7N65F, FXN8N60F, FXN8N65D, FXN8N65F, FXN10N06D