Справочник MOSFET. FXN28N50F

 

FXN28N50F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FXN28N50F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 80 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для FXN28N50F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN28N50F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:916K  cn fx-semi
 fxn28n50f.pdf pdf_icon

FXN28N50F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN28N50F Series Rev.AGeneral Description Features The FXN28N50F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 500V DSprovides high performance in on-state resistance, fast switching ID =28A @V = 10V GSperformance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in indu

 6.1. Size:869K  cn fx-semi
 fxn28n50p.pdf pdf_icon

FXN28N50F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN28N50P Series Rev.AGeneral Description Features The FXN28N50P uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 500V DSprovides high performance in on-state resistance, fast switching ID =28A @V = 10V GSperformance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in indu

 6.2. Size:1061K  cn fx-semi
 fxn28n50t.pdf pdf_icon

FXN28N50F

FuXin Semiconductor Co., Ltd.FXN28N50T Series Rev.AGeneral Description Features The FXN28N50T uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 500V DSprovides high performance in on-state resistance, fast switching ID =28A @V = 10V GSperformance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in indust

 9.1. Size:686K  cn fx-semi
 fxn28s50f.pdf pdf_icon

FXN28N50F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN28S50F Series Rev.AGeneral Description Features The FXN28S50F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 500V DSprovides high performance in on-state resistance, fast switching ID =28A @V = 10V GSperformance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in indu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.