18N50D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 18N50D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 277 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
Тип корпуса: TO3P TO3PN
18N50D Datasheet (PDF)
18n50d.pdf

18N50D18A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the self-alignedVDSS = 500Vplanar technology which reduce the conduction loss, improve switchingI = 18.0ADperformance and enhance the avalanche energy. Which accords with theRoHS standard.RDS(on)TYP)=0.242 Features Fast switching ESD im
gpt18n50g gpt18n50dg.pdf

GPT18N50 / GPT18N50D POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 2013/6/26 Rev1.6 Greatpower Microelectronic Corp. Page 4 GPT18N50 / GPT18N50D POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR PACKAGE DIMENSION TO-220F 2013/6/26 Rev1.6 Greatpower Microelectronic Corp. Page 5 GPT18N50 / GPT18N50D
sihf18n50d.pdf

SiHF18N50Dwww.vishay.comVishay SiliconixD Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Optimal DesignVDS (V) at TJ max. 550- Low Area Specific On-ResistanceRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.28- Low Input Capacitance (Ciss)Qg (max.) (nC) 76- Reduced Capacitive Switching LossesQgs (nC) 11- High Body Diode RuggednessQgd (nC) 17- Avalanche Energy Rated (UIS)
swf18n50d swt18n50d.pdf

SW18N50D N-channel Enhanced mode TO-220F /TO-247 MOSFET TO-220F TO-247 BVDSS : 500V Features ID : 18A High ruggedness RDS(ON) : 0.24 Low RDS(ON) (Typ 0.24)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 88nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 3 Application: LED , Charger, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General
Другие MOSFET... FXN0204C , FXN0204CQ , FXN100S55T , FXN9N20C , 630 , 110N04 , 13N90 , 14N65 , IRFP250 , D2N60 , D4N70 , D4N80 , D50N06 , D5N50 , DH0159 , DH0159B , DH0159D .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTN330N06A | JMTN2310A | JMTN11DN10A | JMTM8810KS | JMTM850P04A | JMTM8205B | JMTM8205A | JMTM3415KL | JMTM3406D | JMTM330N06A | JMTM300N03D | JMTM300C02D | JMTM2310A | JMTM170N04A | JMTLB3134K | JMTLB2N7002KDS
Popular searches
2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet