HYG035N10NS2P - описание и поиск аналогов

 

HYG035N10NS2P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HYG035N10NS2P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 99 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2420 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HYG035N10NS2P

  - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG035N10NS2P даташит

 ..1. Size:716K  hymexa
 hyg035n10ns2p hyg035n10ns2b.pdf pdf_icon

HYG035N10NS2P

HYG035N10NS2P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/180A RDS(ON)=3.2m (typ.) @ VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Power Switching application DC-DC Converters Motor control N-Channel MOSFET Ordering and

 7.1. Size:1055K  1
 hyg035n02ka1c2.pdf pdf_icon

HYG035N10NS2P

HYG035N02KA1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 20V/95A D D D D D D D D RDS(ON)= 2.6 m (typ.) @VGS = 4.5V RDS(ON)= 3.1 m (typ.) @VGS = 2.5V RDS(ON)= 4.4 m (typ.) @VGS = 1.8V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged G S S S S S S G Halogen- Free Devices Available Pin1 PDFN8L(5x6) Applications S

 7.2. Size:1335K  1
 hyg035n06ls1c2.pdf pdf_icon

HYG035N10NS2P

HYG035N06LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 65V/90A D D D D D D D D RDS(ON)= 2.9m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 4.7m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G PDFN8L(5x6) Applications Load Switch Lithium battery protect board Motor drive for electric

 7.3. Size:1055K  hymexa
 hyg035n02ka1c2.pdf pdf_icon

HYG035N10NS2P

HYG035N02KA1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 20V/95A D D D D D D D D RDS(ON)= 2.6 m (typ.) @VGS = 4.5V RDS(ON)= 3.1 m (typ.) @VGS = 2.5V RDS(ON)= 4.4 m (typ.) @VGS = 1.8V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged G S S S S S S G Halogen- Free Devices Available Pin1 PDFN8L(5x6) Applications S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 5N65C , 60N10B , 60N10D , 60N10E , 60N10F , 60N10I , AOB413 , B110N04 , IRFB31N20D , HYG035N10NS2B , JMTE070N07A , DH012N03D , DH012N03E , DH012N03F , DH012N03I , DH012N03P , DH012N03U .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.