Справочник MOSFET. DH009N02E

 

DH009N02E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH009N02E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 310 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 123 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1386 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для DH009N02E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH009N02E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1219K  cn wxdh
 dh009n02 dh009n02f dh009n02i dh009n02e dh009n02b dh009n02d.pdf pdf_icon

DH009N02E

DH009N02/DH009N02F/DH009N02IDH009N02E/DH009N02B/DH009N02D310A 20V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 20VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 1.35mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 310AD2 Features Low on res

 6.1. Size:778K  cn wxdh
 dh009n02p.pdf pdf_icon

DH009N02E

DH009N02P220A 20V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThe N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 20VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 1mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 220AD2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching L

Другие MOSFET... B740 , B7N70 , B80N06 , DATD063N06N , DATP057N06N , DH009N02 , DH009N02B , DH009N02D , IRFP260N , DH009N02F , DH009N02I , DH009N02P , DH012N03 , DH012N03B , D12N06 , D18N20 , D25N10 .

History: HY4306B6 | BRFL13N50 | 2SK1478 | IXFT12N100F | 2SK65 | AP9977GJ-HF | CEF02N6G

 

 
Back to Top

 


 
.