DH009N02E - описание и поиск аналогов

 

DH009N02E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DH009N02E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 310 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 123 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1386 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для DH009N02E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH009N02E даташит

 ..1. Size:1219K  cn wxdh
 dh009n02 dh009n02f dh009n02i dh009n02e dh009n02b dh009n02d.pdf pdf_icon

DH009N02E

DH009N02/DH009N02F/DH009N02I DH009N02E/DH009N02B/DH009N02D 310A 20V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 20V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 1.35m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 310A D 2 Features Low on res

 6.1. Size:778K  cn wxdh
 dh009n02p.pdf pdf_icon

DH009N02E

DH009N02P 220A 20V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description The N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 20V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 1m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 220A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching L

Другие MOSFET... B740 , B7N70 , B80N06 , DATD063N06N , DATP057N06N , DH009N02 , DH009N02B , DH009N02D , IRLZ44N , DH009N02F , DH009N02I , DH009N02P , DH012N03 , DH012N03B , D12N06 , D18N20 , D25N10 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.