D7N70. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: D7N70

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.75 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для D7N70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

D7N70 даташит

 ..1. Size:1210K  cn wxdh
 d7n70.pdf pdf_icon

D7N70

D7N70 7A 700V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the self-aligned V DSS = 700V planar technology which reduce the conduction loss, improve switching I = 7.0A D performance and enhance the avalanche energy. Which accords with the RoHS standard. R DS(on) TYP) =1.35 2 Features Fast switching ESD impro

 0.1. Size:970K  samwin
 swf7n70k swi7n70k swd7n70k swp7n70k swj7n70k.pdf pdf_icon

D7N70

SW7N70K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252/TO-220/TO-262N MOSFET BVDSS 700V TO-262N TO-220F TO-251 TO-252 TO-220 Features ID 7A High ruggedness RDS(ON) 0.81 Low RDS(ON) (Typ 0.81 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 17nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 2 2 1 1 2 100% Avalanche Tested 2 2 3 3 3 3 3 Application

 0.2. Size:972K  samwin
 sw7n70d swd7n70d swn7n70d swj7n70d swf7n70d.pdf pdf_icon

D7N70

SW7N70D N-channel Enhanced mode TO-252/TO-251N/TO-262N/TO-220F MOSFET Features TO-262N TO-220F TO-251N TO-252 BVDSS 700V High ruggedness ID 7A Low RDS(ON) (Typ 1.2 )@VGS=10V RDS(ON) 1.2 Low Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 1 1 2 2 3 2 2 Application LED, Charger, TV-Power 3

 0.3. Size:1002K  samwin
 swd7n70d swn7n70d swj7n70d swf7n70d.pdf pdf_icon

D7N70

SW7N70D N-channel Enhanced mode TO-252/TO-251N/TO-262N/TO-220F MOSFET Features TO-262N TO-220F TO-251N TO-252 BVDSS 700V High ruggedness ID 7A Low RDS(ON) (Typ 1.2 )@VGS=10V RDS(ON) 1.2 Low Gate Charge (Typ 30nC) Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 1 1 2 2 3 2 2 Application LED, Charger, TV-Power 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... D12N06, D18N20, D25N10, D5N65-XAD, D630, D640, D740, D7N60, IRFP250N, D80N06, D8N50, D9N65, 18P10, 18P10B, 18P10D, 18P10E, 18P10F