DCC020M65G2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DCC020M65G2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 22 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 92 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 281 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для DCC020M65G2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DCC020M65G2 даташит

 ..1. Size:1880K  cn wxdh
 dcc020m65g2 dccf020m65g2.pdf pdf_icon

DCC020M65G2

DCC020M65G2/DCCF020M65G2 92A 650V N-channel SiC Power MOSFET 1 Description This product family offers state of the art performance. It is designed for high frequency applications where high efficiency and high reliability are required. 2 Features Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements Increased Power Density Increased System Switching Frequency

Другие IGBT... 2N3368, 2N3369, 2N3370, DH020N03F, DH020N03I, DH020N03P, DCC016M120G2, DCC016M120G3, IRFB3607, DCC030M120G2, DCC040M65G2, DCC060M65G2, DCC075M120G2C, DCC080M120A, DCC160M120G1, DCCF016M120G2, DCCF016M120G3