DH105N07E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DH105N07E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 174 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DH105N07E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH105N07E даташит

 ..1. Size:1152K  cn wxdh
 dh105n07 dh105n07f dh105n07i dh105n07e dh105n07b dh105n07d.pdf pdf_icon

DH105N07E

DH105N07/DH105N07F/DH105N07I/ DH105N07E/DH105N07B/DH105N07D 60A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 68V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 10.5m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 60A D 2 Features Low on resi

 6.1. Size:737K  cn wxdh
 dh105n07p.pdf pdf_icon

DH105N07E

DH105N07P 56A 70V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 70V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 10m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 56A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching

Другие IGBT... DH100P40I, DH100P70, DH100P70E, DH100P70F, DH100P70I, DH105N07, DH105N07B, DH105N07D, IRF1405, DH105N07F, DH105N07I, DH105N07P, DH4N150B, DH4N150F, DH500P06R, DH50N06FZC, DH50N15