DH105N07E - описание и поиск аналогов

 

Аналоги DH105N07E. Основные параметры


   Наименование производителя: DH105N07E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 174 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для DH105N07E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH105N07E даташит

 ..1. Size:1152K  cn wxdh
 dh105n07 dh105n07f dh105n07i dh105n07e dh105n07b dh105n07d.pdf pdf_icon

DH105N07E

DH105N07/DH105N07F/DH105N07I/ DH105N07E/DH105N07B/DH105N07D 60A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 68V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 10.5m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 60A D 2 Features Low on resi

 6.1. Size:737K  cn wxdh
 dh105n07p.pdf pdf_icon

DH105N07E

DH105N07P 56A 70V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 70V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 10m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 56A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching

Другие MOSFET... DH100P40I , DH100P70 , DH100P70E , DH100P70F , DH100P70I , DH105N07 , DH105N07B , DH105N07D , 20N50 , DH105N07F , DH105N07I , DH105N07P , DH4N150B , DH4N150F , DH500P06R , DH50N06FZC , DH50N15 .

History: JMSL1008AGQ | HAT2061R | SFI9610 | JMSL1006PG | AOD380A60C | JMSL1008AG | JMSL1006PGQ

 

 
Back to Top

 


 
.