Справочник MOSFET. DH105N07E

 

DH105N07E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH105N07E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 174 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DH105N07E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1152K  cn wxdh
 dh105n07 dh105n07f dh105n07i dh105n07e dh105n07b dh105n07d.pdf pdf_icon

DH105N07E

DH105N07/DH105N07F/DH105N07I/DH105N07E/DH105N07B/DH105N07D60A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 68VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 10.5mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 60AD2 Features Low on resi

 6.1. Size:737K  cn wxdh
 dh105n07p.pdf pdf_icon

DH105N07E

DH105N07P56A 70V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 70VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 10mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 56AD2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: VBJ1101M | NTMFS4833NA | BRCS100N06BD | IXFK120N65X2 | IXFX98N50P3 | TPC65R260M | 2SK417

 

 
Back to Top

 


 
.