Справочник MOSFET. DH850N10F

 

DH850N10F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH850N10F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для DH850N10F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH850N10F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1158K  cn wxdh
 dh850n10 dh850n10f dh850n10i dh850n10e dh850n10b dh850n10d.pdf pdf_icon

DH850N10F

DH850N10/DH850N10F/DH850N10IDH850N10E/DH850N10B/DH850N10D15A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 86mDS(on) (TYP)standard.13 SID =15A2 Features Low on resistan

 6.1. Size:791K  cn wxdh
 dh850n10b dh850n10d.pdf pdf_icon

DH850N10F

DH850N10B/DH850N10D12A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 86mDS(on) (TYP)standard.13 SID =12A2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switch

Другие MOSFET... DH8004B , DH8004D , DH80N08B22 , DH8290 , DH850N10 , DH850N10B , DH850N10D , DH850N10E , 8N60 , DH150N12 , DH150N12B , DH150N12D , DH150N12E , DH150N12F , DH150N12I , DH160P03V , DH160P04D .

History: VBE2102M | OSG80R380HF | DH033N04D | QM3018D

 

 
Back to Top

 


 
.