DH025N03E datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DH025N03E 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 119 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 561 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
Тип корпуса: TO263
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для DH025N03E
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
DH025N03E даташит
dh025n03 dh025n03f dh025n03e dh025n03i dh025n03b dh025n03d.pdf
DH025N03/DH025N03F/DH025N03E DH025N03I/DH025N03B/DH025N03D 150A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 30V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 2.5m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 150A D 2 Features Low on resi
dh025n04 dh025n04f dh025n04i dh025n04e dh025n04b dh025n04d.pdf
DH025N04/DH025N04F/DH025N04I DH025N04E/DH025N04B/DH025N04D 130A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 40V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 2.8m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 130A D 2 Features Low on resi
dh025n08.pdf
DH025N08 85V/2.9m /215A N-MOSFET Features Key Parameters Fast switching VDS 85V Low on resistance RDS(on)typ. 2.9m Low gate charge ID 215A High avalanche current Vth 2.9V Low reverse transfer capacitances Ciss@10V 17292pF 100% single pulse avalanche energy test Qgd 94nC 100% VDS test Applications Motor Control and Drive Charge/Discharge for B
Другие IGBT... DH100P25I, DCCF040M65G2, DCCF060M65G2, DCCF080M120A2, DCCF160M120G1, DH025N03, DH025N03B, DH025N03D, P55NF06, DH025N03F, DH025N03I, DH025N04, DH025N04B, DH025N04D, DH025N04E, DH025N04F, DH025N04I
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: IRF8852PBF | PD551BA | PB502CW | NDH8503N
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210 | 2sc3792



