Справочник MOSFET. DH025N04I

 

DH025N04I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH025N04I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 114 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 124 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 501 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для DH025N04I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH025N04I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1189K  cn wxdh
 dh025n04 dh025n04f dh025n04i dh025n04e dh025n04b dh025n04d.pdf pdf_icon

DH025N04I

DH025N04/DH025N04F/DH025N04IDH025N04E/DH025N04B/DH025N04D130A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 40VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 2.8mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 130AD2 Features Low on resi

 7.1. Size:1075K  cn wxdh
 dh025n03 dh025n03f dh025n03e dh025n03i dh025n03b dh025n03d.pdf pdf_icon

DH025N04I

DH025N03/DH025N03F/DH025N03EDH025N03I/DH025N03B/DH025N03D150A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 30VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 2.5mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 150AD2 Features Low on resi

 7.2. Size:1316K  cn wxdh
 dh025n08.pdf pdf_icon

DH025N04I

DH025N0885V/2.9m/215A N-MOSFETFeatures Key Parameters Fast switching VDS 85V Low on resistance RDS(on)typ. 2.9m Low gate charge ID 215A High avalanche current Vth 2.9V Low reverse transfer capacitances Ciss@10V 17292pF 100% single pulse avalanche energy test Qgd 94nC 100% VDS testApplications Motor Control and Drive Charge/Discharge for B

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.