DH400P06LB - аналоги и даташиты транзистора

 

DH400P06LB - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DH400P06LB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для DH400P06LB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH400P06LB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:969K  cn wxdh
 dh400p06ld dh400p06lb.pdf pdf_icon

DH400P06LB

DH400P06LD&DH400P06LB-40A -60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese P-channel enhancement mode power mosfets usedV = -60VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 22mDS(on) (TYP)standard.I = -40AD2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching

 6.1. Size:1213K  cn wxdh
 dh400p06 dh400p06f dh400p06i dh400p06e dh400p06b dh400p06d.pdf pdf_icon

DH400P06LB

DH400P06/DH400P06F/DH400P06IDH400P06E/DH400P06B/DH400P06D40A 60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese P-channel enhanced vdmosfets, used advancedV = -60VDSStrench technology and design, provide to excellentRdson with low gate charge. Which accords with theR =32mDS(on) (TYP)RoHS standard.I = -40AD2 Features Fast switching Low on resist

Другие MOSFET... DH240N06LF , DH240N06LI , DH400P06 , DH400P06B , DH400P06D , DH400P06E , DH400P06F , DH400P06I , 2N60 , DH400P06LD , DH025N08 , DH026N06 , DH026N06B , DH026N06D , DH026N06E , DH026N06F , DH026N06I .

History: STD60NF55LT4 | HGN035N08A

 

 
Back to Top

 


 
.