DH028N03D - описание и поиск аналогов

 

Аналоги DH028N03D. Основные параметры


   Наименование производителя: DH028N03D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 145 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 118 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для DH028N03D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH028N03D даташит

 ..1. Size:1076K  cn wxdh
 dh028n03 dh028n03f dh028n03e dh028n03i dh028n03b dh028n03d.pdf pdf_icon

DH028N03D

DH028N03/DH028N03F/DH028N03E DH028N03I/DH028N03B/DH028N03D 145A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 30V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 2.7m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 145A D 2 Features Low on resi

Другие MOSFET... DH026N06 , DH026N06B , DH026N06D , DH026N06E , DH026N06F , DH026N06I , DH028N03 , DH028N03B , STP65NF06 , DH028N03E , DH028N03F , DH028N03I , DH029N08 , DH029N08B , DH029N08D , DH100P28 , DH100P28B .

History: BF960S | AGM065N10C

 

 
Back to Top

 


 
.