Справочник MOSFET. DH035N04

 

DH035N04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH035N04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 155 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для DH035N04

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH035N04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1614K  cn wxdh
 dh035n04 dhf035n04 dhi035n04 dhe035n04 dhb035n04 dhd035n04.pdf pdf_icon

DH035N04

DH035N04/DHF035N04/DHI035N04/DHE035N04/DHB035N04/DHD035N04155A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets used advanced2 DV = 40VDSStrench technology design, provided excellent Rdson andlow gate charge. Which accords with the RoHS standard.R = 2.3mDS(on) (TYP)G12 Features I = 155AD3 S Fast switching High

Другие MOSFET... DH033N03R , DH033N04 , DH033N04B , DH033N04D , DH033N04E , DH033N04F , DH033N04I , DH033N04P , P55NF06 , DH100P30CF , DH100P30CI , DH100P35 , DH100P35B , DH100P35D , DH100P35E , DH100P35F , DH100P35I .

History: QM3009K | RJK2017DPP | APT60M80L2VFRG | SL2308 | RW1C025ZP | 2SK941

 

 
Back to Top

 


 
.