DH10H035R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DH10H035R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1026 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для DH10H035R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH10H035R даташит

 ..1. Size:1098K  cn wxdh
 dh10h035r dhf10h035r dhi10h035r dhe10h035r.pdf pdf_icon

DH10H035R

DH10H035R/DHF10H035R/ DHI10H035R/DHE10H035R 120A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced splite gate technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 3.5m DS(on) (TYP) G standard. 1 I = 120A 3 S D 2 Features Fast switching

 7.1. Size:1160K  cn wxdh
 dh10h037r dhf10h037r dhi10h037r dhe10h037r.pdf pdf_icon

DH10H035R

DH10H037R/DHF10H037R/ DHI10H037R/DHE10H037R 120A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power MOSFETS 2 D VDS = 100V Used advanced Splite Gate technology design, provided excellent RDSON and low gate charge. Which accords with RDS = 3.7m (on) (TYP) G the RoHS standard. 1 ID = 120A 3 S 2 Features Fast Switching Low

Другие IGBT... DH100P30CI, DH100P35, DH100P35B, DH100P35D, DH100P35E, DH100P35F, DH100P35I, DH100P40, IRF9540, DH10H037R, DH116N08, DH116N08B, DH116N08D, DH116N08E, DH116N08F, DH116N08I, ZM019N03N