DH116N08B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DH116N08B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 117 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 175 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для DH116N08B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH116N08B даташит

 ..1. Size:1376K  cn wxdh
 dh116n08 dh116n08f dh116n08i dh116n08e dh116n08b dh116n08d.pdf pdf_icon

DH116N08B

DH116N08/DH116N08F/DH116N08I/ DH116N08E/DH116N08B/DH116N08D 49A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 80V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 11.6m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 49A D 2 Features Low on resi

Другие IGBT... DH100P35D, DH100P35E, DH100P35F, DH100P35I, DH100P40, DH10H035R, DH10H037R, DH116N08, STP75NF75, DH116N08D, DH116N08E, DH116N08F, DH116N08I, ZM019N03N, DH045N04, DH045N04B, DH045N04D