DH045N04B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DH045N04B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 113 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 232 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для DH045N04B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH045N04B даташит

 ..1. Size:1215K  cn wxdh
 dh045n04 dh045n04f dh045n04i dh045n04e dh045n04b dh045n04d.pdf pdf_icon

DH045N04B

DH045N04/DH045N04FDH045N04I/ DH045N04E/DH045N04B/DH045N04D 90A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 40V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 5.5m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 90A D 2 Features Low on resist

 6.1. Size:774K  cn wxdh
 dh045n04p.pdf pdf_icon

DH045N04B

DH045N04P 80A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 40V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 5.7m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 80A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching

 7.1. Size:1385K  cn wxdh
 dh045n06 dh045n06f dh045n06i dh045n06e dh045n06b dh045n06d.pdf pdf_icon

DH045N04B

DH045N06/DH045N06F/DH045N06I DH045N06E/DH045N06B/DH045N06D 145A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 60V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 4.5m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 145A D 2 Features Low on resi

Другие IGBT... DH116N08, DH116N08B, DH116N08D, DH116N08E, DH116N08F, DH116N08I, ZM019N03N, DH045N04, IRFP260, DH045N04D, DH045N04E, DH045N04F, DH045N04I, DH045N04P, DH045N06, DH045N06B, DH045N06D