Справочник MOSFET. DHESJ17N65

 

DHESJ17N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHESJ17N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для DHESJ17N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHESJ17N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1360K  cn wxdh
 dhsj17n65 dhfsj17n65 dhisj17n65 dhesj17n65.pdf pdf_icon

DHESJ17N65

DHSJ17N65/DHFSJ17N65DHISJ17N65/DHESJ17N6517A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets, is using advancedsuper junction technology and design to provide excellent 2 DV = 650VDSSRds(on) with low gate charge. Which accords with theR = 185mDS(on) (TYP)RoHS standard. G1I = 17A3 S D2 Features Fast switching Low

 8.1. Size:1552K  cn wxdh
 dhsj11n65 dhfsj11n65 dhisj11n65 dhesj11n65 dhbsj11n65 dhdsj11n65.pdf pdf_icon

DHESJ17N65

DHSJ11N65/DHFSJ11N65/DHISJ11N65/DHESJ11N65/DHBSJ11N65/DHDSJ11N6511A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets, is using advancedsuper junction technology and design to provide excellent 2 DV = 650VDSSRds(on) with low gate charge. Which accords with theR = 0.33DS(on) (TYP)RoHS standard. G1I = 11A3 S D2 Features

 8.2. Size:1649K  cn wxdh
 dhsj13n65 dhfsj13n65 dhisj13n65 dhesj13n65 dhbsj13n65 dhdsj13n65.pdf pdf_icon

DHESJ17N65

DHSJ13N65/DHFSJ13N65/DHISJ13N65DHESJ13N65/DHBSJ13N65/DHDSJ13N6513A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets, is using advanced2 DV = 650VDSSsuper junction technology and design to provide excellentRdson with low gate charge. Which accords with theR = 0.28DS(on) (TYP)GRoHS standard.1I = 13A3 S D2 Features F

Другие MOSFET... DHE80N08B22 , DHE8290 , DHE85N08 , DHE90N045R , DHE90N055R , DHE9Z24 , DHESJ11N65 , DHESJ13N65 , 13N50 , DHEZ24B31 , DHF035N04 , DHF100N03B13 , DHF10H035R , DHS020N04D , DHS020N04E , DHS020N04F , DHS020N04I .

History: PJA55P03 | APT6025SFLLG | AM4424N | DHB9Z24 | NP88N03KDG | FMV07N50E | APT6025BFLLG

 

 
Back to Top

 


 
.