DHF10H035R - описание и поиск аналогов

 

DHF10H035R - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DHF10H035R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1026 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для DHF10H035R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHF10H035R технические параметры

 ..1. Size:1098K  cn wxdh
 dh10h035r dhf10h035r dhi10h035r dhe10h035r.pdf pdf_icon

DHF10H035R

DH10H035R/DHF10H035R/ DHI10H035R/DHE10H035R 120A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced splite gate technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 3.5m DS(on) (TYP) G standard. 1 I = 120A 3 S D 2 Features Fast switching

 6.1. Size:1160K  cn wxdh
 dh10h037r dhf10h037r dhi10h037r dhe10h037r.pdf pdf_icon

DHF10H035R

DH10H037R/DHF10H037R/ DHI10H037R/DHE10H037R 120A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power MOSFETS 2 D VDS = 100V Used advanced Splite Gate technology design, provided excellent RDSON and low gate charge. Which accords with RDS = 3.7m (on) (TYP) G the RoHS standard. 1 ID = 120A 3 S 2 Features Fast Switching Low

 9.1. Size:1507K  cn wxdh
 dh100n03b13 dhf100n03b13 dhi100n03b13 dhe100n03b13 dhb100n03b13 dhd100n03b13.pdf pdf_icon

DHF10H035R

DH100N03B13/DHF100N03B13/DHI100N03B13/ DHE100N03B13/DHB100N03B13/DHD100N03B13 100A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 30V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 3.3m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 100A D 2 Featur

Другие MOSFET... DHE90N055R , DHE9Z24 , DHESJ11N65 , DHESJ13N65 , DHESJ17N65 , DHEZ24B31 , DHF035N04 , DHF100N03B13 , 18N50 , DHS020N04D , DHS020N04E , DHS020N04F , DHS020N04I , DHS020N04P , DHS020N88 , DHS020N88E , DHS020N88I .

 

 
Back to Top

 


 
.