DHS020N88 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DHS020N88  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 146 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2369 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DHS020N88

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHS020N88 даташит

 ..1. Size:977K  cn wxdh
 dhs020n88 dhs020n88e dhs020n88i.pdf pdf_icon

DHS020N88

 0.1. Size:909K  cn wxdh
 dhs020n88u.pdf pdf_icon

DHS020N88

DHS020N88U 285A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V =85V DSS advanced Splite gate technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 1.4m DS(on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S I =285A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching

 7.1. Size:879K  cn wxdh
 dhs020n04p.pdf pdf_icon

DHS020N88

DHS020N04P 170A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 40V DSS advanced splite gate trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 1.3m DS(on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S I = 170A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast

 7.2. Size:810K  cn wxdh
 dhs020n04b dhs020n04d.pdf pdf_icon

DHS020N88

DHS020N04B/DHS020N04D 180A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 40V DSS advanced Splite gate technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 1.7m DS(on) (TYP) 1 the RoHS standard. 3 S I = 180A D 2 Features Fast switching Low on resistance Lo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DHF035N04, DHF100N03B13, DHF10H035R, DHS020N04D, DHS020N04E, DHS020N04F, DHS020N04I, DHS020N04P, AO3407, DHS020N88E, DHS020N88I, DHS020N88U, DHS021N04, DHS021N04B, DHS021N04D, DHS021N04E, DHS021N04P