DHS020N88I datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: DHS020N88I 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 146 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2369 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm
Тип корпуса: TO262
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для DHS020N88I
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
DHS020N88I даташит
dhs020n88u.pdf
DHS020N88U 285A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V =85V DSS advanced Splite gate technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 1.4m DS(on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S I =285A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast switching
dhs020n04p.pdf
DHS020N04P 170A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 40V DSS advanced splite gate trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 1.3m DS(on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S I = 170A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Fast
dhs020n04b dhs020n04d.pdf
DHS020N04B/DHS020N04D 180A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 40V DSS advanced Splite gate technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 1.7m DS(on) (TYP) 1 the RoHS standard. 3 S I = 180A D 2 Features Fast switching Low on resistance Lo
Другие IGBT... DHF10H035R, DHS020N04D, DHS020N04E, DHS020N04F, DHS020N04I, DHS020N04P, DHS020N88, DHS020N88E, MMIS60R580P, DHS020N88U, DHS021N04, DHS021N04B, DHS021N04D, DHS021N04E, DHS021N04P, DHS022N06, DHS022N06E
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: IXFP22N60P3 | 2SK795 | FDD7N20TM | P1604ETF | HM80N04 | NDB6050 | APT7F120B
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710 | 2sc968 | 2sd217





